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    广西11选5前二走势: 功率源电路及其驱动方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201510864293.2

    申请日:

    2015.12.01

    公开号:

    CN105824343A

    公开日:

    2016.08.03

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/12申请日:20151201|||公开
    IPC分类号: G05F1/12 主分类号: G05F1/12
    申请人: 旺宏电子股份有限公司
    发明人: 彭武钦; 李俊毅; 陈耕晖; 张坤龙; 洪俊雄
    地址: 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
    优先权: 2015.01.14 US 62/103,285; 2015.10.07 US 14/877,723
    专利代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510864293.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2019.03.08|||2016.08.31|||2016.08.03

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供了一种功率源电路及其驱动方法。该功率源电路,包括:一功率供应输入管脚,接收一芯片外供应电压,该芯片外供应电压具有一可变电流;一芯片上功率源,由该芯片外供应电压供电,并提供一调控电流;一存储器阵列;以及一组一个或多个电路,耦接至该存储器阵列,并由来自该芯片上功率源的该调控电流供电。集成电路可包含控制电路,以于该存储器阵列执行存储器操作,控制电路由至少来自功率供应输入管脚的芯片外供应电压供电。

    权利要求书

    1.一种功率源电路,其特征在于,包括:
    一功率供应输入管脚,接收一芯片外供应电压,该芯片外供应电压具有一可变电流;
    一芯片上功率源,由该芯片外供应电压供电,该芯片上功率源提供一调控电流;
    一存储器阵列;以及
    一组一个或多个电路,耦接至该存储器阵列,并由来自该芯片上功率源的该调控电流
    供电。
    2.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该组一个或多个电路包含以下至少一个:一
    充电泵、一电容性升压电路、一输出驱动器、以及一时钟电路。
    3.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该组一个或多个电路包含一充电泵,该充电
    泵包括:
    多个串联耦接的充电泵级,配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级;
    其中,该多个充电泵级包含:一输入节点;一输出节点;一通道晶体管,电性耦接至该输
    入节点及该输出节点;一第一升压电容器,耦接至该输出节点;及一第二升压电容器,耦接
    至该通道晶体管的一栅极。
    4.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该组一个或多个电路包含一充电泵,该充电
    泵包括:
    多个串联耦接的充电泵级,配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级;
    其中,该多个充电泵级包含:一输入节点;一输出节点;一通道晶体管,电性耦接至该输
    入节点及该输出节点;一第一升压电容器,耦接至该输出节点;及一第二升压电容器,耦接
    至该通道晶体管的一栅极;
    其中,该芯片上功率源提供该调控电流至下列至少一个:(i)该第一升压电容器;(ii)
    该第二升压电容器;及(iii)该第一级的该输入节点。
    5.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该组一个或多个电路包含一充电泵,该充电
    泵包括:
    多个串联耦接的充电泵级,配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级,其
    中该些充电泵级的一特定级包含:
    一第一晶体管,选择性地电性耦接该特定级的一输入节点及该特定级的一输出节点;
    一第二晶体管,选择性地电性耦接该输入节点及该第一晶体管的一栅极;
    其中该特定级位于一阱中,该阱被多个阱接点所围绕;及
    其中该输入节点由该阱中的一第一区域所定义,该输出节点由该阱中的一第二区域所
    定义,该第一区域及该第二区域位于该第一晶体管的该栅极的不同侧,该第一区域沿着该
    第一区域的一第一周长与该多个阱接点的一最近者的平均距离为一第一距离,该第二区域
    沿着该第一区域的一第二周长与该多个阱接点的一另一最近者的平均距离为一第二距离,
    该第二距离短于该第一距离。
    6.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该组一个或多个电路包含一充电泵,该充电
    泵包括:
    多个串联耦接的充电泵级,配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级,其
    中该些充电泵级的一特定级包含:
    一第一晶体管,选择性地电性耦接该特定级的一输入节点及该特定级的一输出节点;
    一第二晶体管,选择性地电性耦接该输入节点及该第一晶体管的一栅极;
    其中该特定级位于一阱中,该阱被多个阱接点所围绕;及
    其中该输入节点由该阱中的一第一区域所定义,该输出节点由该阱中的多个第二区域
    所定义,该第一区域位于该多个第二区域之间。
    7.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该芯片上功率源包含多个平行电流源,该些
    平行电流源组合提供该芯片上功率源所提供的该调控电流。
    8.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该芯片上功率源包含:
    一参考电流源;
    多个晶体管,具有至少两不同宽度,其中该多个晶体管的至少一第一个与该参考电流
    源串联,该多个晶体管的至少一第二个提供一输出电流,该输出电流由该多个晶体管的至
    少该第一个及该第二个的不同宽度的比例所决定;及
    一运算放大器,位于一回路,该回路从该多个晶体管的至少该第一个的一栅极至该参
    考电流源。
    9.根据权利要求1所述的功率源电路,其中该芯片上功率源具有一额定输出电压,该额
    定输出电压与该芯片外供应电压无关。
    10.一种功率源电路的驱动方法,其特征在于,包括:
    在一集成电路,经由一功率供应输入管脚接收一芯片外供应电压,该芯片外供应电压
    具有一可变电流;
    于该集成电路中,以一芯片上功率源提供一调控电流,该芯片上功率源由该芯片外供
    应电压供电;以及
    以来自该芯片上功率源的该调控电流,供电至该集成电路上的一组一个或多个电路,
    该组一个或多个电路耦接至该集成电路的一存储器阵列。
    11.根据权利要求10所述的驱动方法,其中该组一个或多个电路包含一充电泵。
    12.根据权利要求10所述的驱动方法,其中该组一个或多个电路包含一充电泵,该充电
    泵包括:
    多个串联耦接的充电泵级,配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级;
    其中,该多个充电泵级包含:一输入节点;一输出节点;一通道晶体管,电性耦接至该输
    入节点及该输出节点;一第一升压电容器,耦接至该输出节点;及一第二升压电容器,耦接
    至该通道晶体管的一栅极;
    其中,该芯片上功率源提供该调控电流至下列至少一个:(i)该第一升压电容器;(ii)
    该第二升压电容器;及(iii)该第一级的该输入节点。
    13.根据权利要求10所述的驱动方法,其中该组一个或多个电路包含一充电泵,该充电
    泵包括:
    多个串联耦接的充电泵级,配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级,其
    中该些充电泵级的一特定级包含:
    一第一晶体管,选择性地电性耦接该特定级的一输入节点及该特定级的一输出节点;
    一第二晶体管,选择性地电性耦接该输入节点及该第一晶体管的一栅极;
    其中该特定级位于一阱中,该阱被多个阱接点所围绕;及
    其中该输入节点由该阱中的一第一区域所定义,该输出节点由该阱中的一第二区域所
    定义,该第一区域及该第二区域位于该第一晶体管的该栅极的不同侧,该第一区域沿着该
    第一区域的一第一周长与该多个阱接点的一最近者的平均距离为一第一距离,该第二区域
    沿着该第一区域的一第二周长与该多个阱接点的一另一最近者的平均距离为一第二距离,
    该第二距离短于该第一距离。
    14.根据权利要求10所述的驱动方法,其中该组一个或多个电路包含一充电泵,该充电
    泵包括:
    多个串联耦接的充电泵级,配置以从该多级中的一第一级汲取电荷至一最后一级,其
    中该些充电泵级的一特定级包含:
    一第一晶体管,选择性地电性耦接该特定级的一输入节点及该特定级的一输出节点;
    一第二晶体管,选择性地电性耦接该输入节点及该第一晶体管的一栅极;
    其中该特定级位于一阱中,该阱被多个阱接点所围绕;及
    其中该输入节点由该阱中的一第一区域所定义,该输出节点由该阱中的多个第二区域
    所定义,该第一区域位于该多个第二区域之间。
    15.根据权利要求10所述的驱动方法,其中该芯片上功率源包含:
    一参考电流源;
    多个晶体管,具有至少两不同宽度,其中该多个晶体管的至少一第一个与该参考电流
    源串联,该多个晶体管的至少一第二个提供一输出电流,该输出电流由该多个晶体管的至
    少该第一个及该第二个的不同宽度的比例所决定;及
    一运算放大器,位于一回路,该回路从该多个晶体管的至少该第一个的一栅极至该参
    考电流源。

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    功率 电路 及其 驱动 方法
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