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    广西11选5开奖走势图: 一种基于自偏置结构的参考电流源电路.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201610151686.3

    申请日:

    2016.03.16

    公开号:

    CN105824345A

    公开日:

    2016.08.03

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G05F 1/565申请公布日:20160803|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/565申请日:20160316|||公开
    IPC分类号: G05F1/565 主分类号: G05F1/565
    申请人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
    发明人: 李现坤; 潘福跃; 张勇; 宣志斌; 肖培磊
    地址: 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
    优先权:
    专利代理机构: 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 代理人: 杨立秋
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610151686.3

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.08.03|||2016.08.31|||2016.08.03

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种基于自偏置结构的参考电流源电路。参考电流源电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管以及约束电路。所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极与电源端相连,所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连,所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连,所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相连,所述第二PMOS管的栅极和漏极连通,所述第一NMOS管的栅极与漏极连通,所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别与约束电路相连,所述约束电路能够使所述的参考电流源电路的参考源电流与温度成比例或能够消除温度对参考源电流的影响。通过约束电路的设置使参考源电流变得可控,使参考电流源电路能够输出稳定、理想的参考源电流,不受工艺参数的影响。

    权利要求书

    1.一种基于自偏置结构的参考电流源电路,其特征在于:包括第一PMOS
    管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管以及约束电路,所述第一PMOS
    管和第二PMOS管的源极与电源端相连,所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管
    的栅极相连,所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连,所述第二PMOS
    管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的
    栅极相连,所述第二PMOS管的栅极和漏极连通,所述第一NMOS管的栅极与漏
    极连通,所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别与约束电路相连,
    所述约束电路能够使所述的参考电流源电路的参考源电流与温度成比例或能够
    消除温度对参考源电流的影响。
    2.根据权利要求1所述的一种基于自偏置结构的参考电流源电路,其特征
    在于:所述约束电路包括第一三极管和第一电阻,所述第一三极管为PNP型三
    极管,所述第一三极管的发射极与第一NMOS管的源极相连,所述第一三极管的
    基极和集电极分别接地,所述第一电阻的一端与第二NMOS管的源级相连,另一
    端接地。
    3.根据权利要求1所述的一种基于自偏置结构的参考电流源电路,其特征
    在于:所述约束电路包括第一三极管、第二三极管和第一电阻,所述第一三极
    管和第二三极管为NPN型三极管,所述第一三极管的集电极和基极与第一NMOS
    管的源极相连,所述第一三极管的发射极接地,所述第二三极管的集电极与第
    二NMOS管的源级相连,所述第二三极管的基极与第一三极管的基极相连,所述
    第一电阻的一端与第二三极管的发射极相连,另一端接地。
    4.根据权利要求1所述的一种基于自偏置结构的参考电流源电路,其特征
    在于:所述约束电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻,所
    述第一三极管和第二三极管为NPN型三极管,所述第一三极管的集电极和基极
    与第一NMOS管的源极相连,所述第一三极管的发射极接地,所述第二三极管的
    集电极与第二NMOS管的源级相连,所述第二三极管的基极与第一三极管的基极
    相连,所述第一电阻的一端与第二三极管的发射极相连,另一端接地,第二电
    阻的一端接入在第二NMOS管的源级和第二三极管的集电极之间,另一端接地。

    关 键 词:
    一种 基于 偏置 结构 参考 电流 电路
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