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    广西11选5开奖查询: 一种基准电压的电路.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201610316908.2

    申请日:

    2016.05.12

    公开号:

    CN105824348A

    公开日:

    2016.08.03

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 3/20申请日:20160512|||公开
    IPC分类号: G05F3/20 主分类号: G05F3/20
    申请人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
    发明人: 李鹏; 苟超; 孙毛毛; 王菡; 陈波; 梁盛铭; 赵思源
    地址: 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
    优先权:
    专利代理机构: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 尹丽云
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201610316908.2

    授权公告号:

    105824348B||||||

    法律状态公告日:

    2017.06.27|||2016.08.31|||2016.08.03

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供一种基准电压电路,包括:PTAT电压产生电路,用于通过第一晶体管组与第二晶体管之间具有的反正偏二极管特性使所述第二晶体管工作在亚阈值区以产生第一栅源电压,并将所述第一栅源电压作为PTAT电压输出到电压叠加输出电路;CTAT电压产生电路,用于通过第一电阻使第三晶体管及第四晶体管工作在亚阈值区,以及通过所述第四晶体管产生第二栅源电压,并将所述第二栅源电压作为CTAT电压输出到电压叠加输出电路;电压叠加输出电路,用于将PTAT电压产生电路输出的PTAT电压与CTAT电压产生电路输出的CTAT电压进行叠加,得到基准电压并输出;如此,能够提供稳定且精准的基准电压,且电路结构简单、功耗极低。

    权利要求书

    1.一种基准电压电路,其特征在于,所述电路包括:PTAT电压产生电路、CTAT电压产
    生电路、电压叠加输出电路;其中,
    所述PTAT电压产生电路,包括第一晶体管组及第二晶体管,用于通过所述第一晶体管组
    与所述第二晶体管之间具有的反正偏二极管特性使所述第二晶体管工作在亚阈值区以产生第
    一栅源电压,并将所述第一栅源电压作为PTAT电压输出到所述电压叠加输出电路;
    所述CTAT电压产生电路,包括第三晶体管、第四晶体管及第一电阻,用于通过第一电
    阻使所述第三晶体管及第四晶体管工作在亚阈值区,以及通过所述第四晶体管产生第二栅源
    电压,并将所述第二栅源电压作为CTAT电压输出到所述电压叠加输出电路;
    所述电压叠加输出电路,用于将所述PTAT电压产生电路输出的PTAT电压与所述CTAT
    电压产生电路输出的CTAT电压进行叠加,得到基准电压并输出。
    2.根据权利要求1所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一晶体管组包括K个N
    型金属氧化物半导体NMOS晶体管、所述第二晶体管为第二NMOS晶体管;或者,所述第
    一晶体管组包括K个NPN晶体管、所述第二晶体管为第二NPN晶体管;或者,所述第一晶
    体管组包括K个二极管,所述第二晶体管为第二二极管;其中,所述第一晶体管组中K个
    NMOS晶体管的总宽长比是第二NMOS晶体管宽长比的K倍;其中,K为正整数;
    所述第三晶体管为第三P型金属氧化物半导体PMOS晶体管,所述第四晶体管为第四
    PMOS晶体管。
    3.根据权利要求2所述的电压基准电路,其特征在于,所述第一晶体管组包括K个NMOS
    晶体管、所述第二晶体管为第二NMOS晶体管时,在所述PTAT电压产生电路中,所述第一
    晶体管组中K个NMOS晶体管的漏极连接参考电压源,所述第一晶体管组中K个NMOS晶
    体管的栅极与第一晶体管组中K个NMOS晶体管的源极、所述第二NMOS晶体管的栅极、
    所述第二NMOS晶体管的漏极及所述CTAT电压产生电路中的所述第四PMOS晶体管的栅极
    连接,所述第一晶体管组中K个NMOS晶体管的衬底分别连接到第一晶体管组中对应NMOS
    晶体管的源极;所述第二NMOS晶体管的源极连接接地点,所述第二NMOS晶体管的衬底
    连接接地点;
    所述CTAT电压产生电路中,所述第三PMOS晶体管的源极连接参考电压源,所述第三
    PMOS晶体管的栅极与第三PMOS晶体管的漏极及第一电阻的正极端连接;所述第一电阻的
    负极端与所述第四PMOS晶体管的源极连接;所述第四PMOS晶体管的漏极连接接地点;所
    述第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管的衬底均连接参考电压源。
    4.根据权利要求3所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一晶体管组中K个栅极
    与源极连接的NMOS晶体管等效于K个反偏二极管,栅极与漏极连接的第二NMOS晶体管
    等效于一个正偏二极管,以使所述第一晶体管组中K个NMOS晶体管与所述第二NMOS晶
    体管之间具有反正偏二极管特性。
    5.根据权利要求2所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一晶体管组包括K个NPN
    晶体管、所述第二晶体管为第二NPN晶体管时,在所述PTAT电压产生电路中,所述第一晶
    体管组中K个NPN晶体管的集电极连接参考电压源,所述第一晶体管组中K个NPN晶体管
    的基极与第一晶体管组中K个NPN晶体管的发射极、所述第二NPN晶体管的基极、所述第
    二NPN晶体管的集电极及所述CTAT电压产生电路中的所述第四PMOS晶体管的栅极连接;
    所述第二NPN晶体管的发射极连接接地点;
    所述CTAT电压产生电路中,所述第三PMOS晶体管的源极连接参考电压源,所述第三
    PMOS晶体管的栅极与第三PMOS晶体管的漏极及第一电阻的正极端连接;所述第一电阻的
    负极端与所述第四PMOS晶体管的源极连接;所述第四PMOS晶体管的漏极连接接地点;所
    述第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管的衬底均连接参考电压源。
    6.根据权利要求5所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一晶体管组中K个基极与
    发射极连接的NPN晶体管等效于K个反偏二极管,基极与集电极连接的第二NPN晶体管等
    效于一个正偏二极管,以使所述第一晶体管组中K个NPN晶体管与所述第二NPN晶体管之
    间具有反正偏二极管特性。
    7.根据权利要求2所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一晶体管组包括K个二
    极管,所述第二晶体管为第二二极管时,在所述PTAT电压产生电路中,所述第一晶体管组
    中的K个二极管的阴极均连接参考电压源,所述第一晶体管组中的K个二极管的阳极与所述
    第二二极管的阳极及所述CTAT电压产生电路中的所述第四PMOS晶体管的栅极连接;所述
    第二二极管的阴极连接接地点;
    所述CTAT电压产生电路中,所述第三PMOS晶体管的源极连接参考电压源,所述第三
    PMOS晶体管的栅极与第三PMOS晶体管的漏极及第一电阻的正极端连接;所述第一电阻的
    负极端与所述第四PMOS晶体管的源极连接;所述第四PMOS晶体管的漏极连接接地点;所
    述第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管的衬底均连接参考电压源。
    8.根据权利要求7所述的基准电压电路,其特征在于,所述第一晶体管组中的K个二
    极管为K个反偏二极管,所述第二二极管为正偏二极管,以使所述第一晶体管组中K个二极
    管与所述第二二极管之间具有反正偏二极管特性。

    关 键 词:
    一种 基准 电压 电路
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