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    体彩广西11选5开奖时间: 液晶显示设备、半导体器件和电子设备.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201510441592.5

    申请日:

    2007.04.06

    公开号:

    CN104950536A

    公开日:

    2015.09.30

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效 IPC(主分类):G02F 1/1343申请日:20070406|||公开
    IPC分类号: G02F1/1343; G02F1/13; G02F1/1362; H01L29/40; H01L27/12; H01L23/48 主分类号: G02F1/1343
    申请人: 株式会社半导体能源研究所
    发明人: 木村肇
    地址: 日本神奈川
    优先权: 2006-105618 2006.04.06 JP
    专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 秦晨
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510441592.5

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2015.11.04|||2015.09.30

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及液晶显示设备、半导体器件和电子设备。液晶显示设备包括在基础绝缘膜101上形成并且源极102d、沟道形成区102a和漏极102b在其中形成的岛形第一半导体膜102;由与作为源极102d或漏极102b的第一半导体膜102相同的材料形成并且在基础绝缘膜101上形成的第一电极102c;在第一电极102c上形成并且包括第一开口图案112的第二电极108;以及提供在第二电极108上的液晶110。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种液晶显示设备,包括:
    在衬底之上的第一电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述第一电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极;以及
    在所述像素电极之上的液晶;
    其中所述第一电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    2.  一种液晶显示设备,包括:
    在衬底之上的第一电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述第一电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极;
    在所述像素电极之上的液晶;
    在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线;以及
    在所述辅助布线之上的连接布线,
    其中所述第一电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线,
    其中所述第一电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    3.  一种液晶显示设备,包括:
    在衬底之上的公共电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述公共电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极;以及
    在所述像素电极之上的液晶,
    其中所述公共电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    4.  一种液晶显示设备,包括:
    在衬底之上的公共电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述公共电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极;
    在所述像素电极之上的液晶;
    在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线;以及
    在所述辅助布线之上的连接布线,其中所述公共电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线,
    其中所述公共电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    5.  根据权利要求3或4所述的液晶显示设备,其中所述液晶的取向由所述公共电极与所述像素电极之间的电场控制。

    6.  根据权利要求3或4所述的液晶显示设备,包括在所述栅电极之上的第二绝缘膜,其中所述像素电极在所述第二绝缘膜之上。

    7.  根据权利要求1-4中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述像素电极包括开口。

    8.  一种包括根据权利要求1-4中的任一项所述的液晶显示设备 的电子设备。

    9.  一种半导体器件,包括:
    在衬底之上的公共电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述公共电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;以及
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极,
    其中所述公共电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    10.  一种半导体器件,包括:
    在衬底之上的公共电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述公共电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极;
    在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线;以及
    在所述辅助布线之上的连接布线,
    其中所述公共电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线,
    其中所述公共电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    11.  一种半导体器件,包括:
    在衬底之上的第一电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述第一电极和所述半导体层之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;以及
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极;
    其中所述第一电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    12.  一种半导体器件,包括:
    在衬底之上的第一电极;
    在所述衬底之上的半导体层;
    在所述第一电极之上的第一绝缘膜;
    在所述第一绝缘膜之上的栅电极;
    在所述第一绝缘膜之上的像素电极;
    在所述第一绝缘膜之上的包含金属材料的辅助布线;以及
    在所述辅助布线之上的连接布线,
    其中所述第一电极通过所述连接布线电连接于所述辅助布线,
    其中所述第一电极和所述半导体层均包含铟、镓和锌,并且
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层。

    13.  根据权利要求9-12中的任一项所述的半导体器件,包括在所述栅电极之上的第二绝缘膜,其中所述像素电极在所述第二绝缘膜之上。

    14.  根据权利要求9-12中的任一项所述的半导体器件,其中所述像素电极包括开口。

    15.  一种包括根据权利要求9-12中的任一项所述的半导体器件的电子设备。

    16.  一种液晶显示设备,包括:
    第一衬底;
    在所述第一衬底之上的第一栅电极;
    在所述第一栅电极之上的栅极绝缘层;
    在所述第一栅电极之上的包括沟道形成区的半导体层,所述栅极绝缘层夹在所述半导体层和所述第一栅电极之间;
    在所述栅极绝缘层之上的公共电极;
    在所述半导体层和所述公共电极之上的绝缘层;
    在所述绝缘层之上的像素电极;
    在所述像素电极之上的液晶层;以及
    在所述液晶层之上的第二衬底,
    其中所述半导体层和所述公共电极均包含铟和锌,
    其中所述像素电极与所述公共电极重叠,所述绝缘层夹在所述像素电极和所述公共电极之间以形成电容器,
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层,
    其中所述公共电极包含与所述半导体层相同的材料,并且
    其中所述半导体层与所述公共电极具有基本上相同的厚度。

    17.  根据权利要求16所述的液晶显示设备,其中所述液晶层被配置为由所述像素电极与所述公共电极之间产生的电场驱动。

    18.  根据权利要求16所述的液晶显示设备,其中所述半导体层和所述公共电极均还包含镓。

    19.  根据权利要求16所述的液晶显示设备,其中所述半导体层和所述公共电极均包含a-InGaZnO。

    20.  根据权利要求16所述的液晶显示设备,其中所述绝缘层包括与所述公共电极重叠的开口。

    21.  根据权利要求16所述的液晶显示设备,还包括在所述第一衬底之上的布线,
    其中所述栅极绝缘层在所述布线之上,并且
    其中所述布线电连接于所述公共电极。

    22.  根据权利要求16所述的液晶显示设备,其中所述公共电极包含增强所述公共电极的导电率的杂质。

    23.  根据权利要求22所述的液晶显示设备,其中所述杂质是选自磷、硼、镓和砷中的至少一种。

    24.  根据权利要求16所述的液晶显示设备,其中所述半导体层和所述公共电极是通过包括以下步骤的工艺形成的:
    在所述栅极绝缘层之上形成半导体膜;以及
    刻蚀所述半导体膜以形成所述半导体层和所述公共电极。

    25.  一种液晶显示设备,包括:
    第一衬底;
    在所述第一衬底之上的第一栅电极;
    在所述第一栅电极之上的栅极绝缘层;
    在所述第一栅电极之上的半导体层,所述栅极绝缘层夹在所述半导体层和所述第一栅电极之间;
    在所述栅极绝缘层之上的第一电极;
    在所述半导体层和所述第一电极之上的绝缘层;
    在所述绝缘层之上的像素电极;
    在所述像素电极之上的液晶层;以及
    在所述液晶层之上的第二衬底,
    其中所述半导体层和所述第一电极均包含铟和锌,
    其中所述像素电极与所述第一电极重叠,所述绝缘层夹在所述像素电极和所述第一电极之间以形成电容器,
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层,
    其中所述第一电极包含与所述半导体层相同的材料,并且
    其中所述半导体层与所述第一电极具有基本上相同的厚度。

    26.  一种液晶显示设备,包括:
    第一衬底;
    在所述第一衬底之上的第一栅电极;
    在所述第一栅电极之上的栅极绝缘层;
    在所述第一栅电极之上的半导体层,所述栅极绝缘层夹在所述半导体层和所述第一栅电极之间;
    在所述栅极绝缘层上并与所述栅极绝缘层接触的第一电极;
    在所述半导体层和所述第一电极之上的绝缘层;
    在所述绝缘层之上的像素电极;
    在所述像素电极之上的液晶层;以及
    在所述液晶层之上的第二衬底,
    其中所述半导体层和所述第一电极均包含铟和锌,
    其中所述像素电极与所述第一电极重叠,所述绝缘层夹在所述像素电极和所述第一电极之间以形成电容器,
    其中所述像素电极电连接于所述半导体层,
    其中所述第一电极包含与所述半导体层相同的材料,并且
    其中所述半导体层与所述第一电极具有基本上相同的厚度。

    27.  一种液晶显示设备,包括:
    第一衬底;
    在所述第一衬底之上的第一栅电极;
    在所述第一栅电极之上的栅极绝缘层;
    在所述第一栅电极之上的半导体层,所述栅极绝缘层夹在所述半导体层和所述第一栅电极之间;
    在所述栅极绝缘层之上的第一电极;
    在所述半导体层和所述第一电极之上的绝缘层;
    在所述绝缘层之上的像素电极;
    在所述像素电极之上的液晶层;以及
    在所述液晶层之上的第二衬底,
    其中所述半导体层和所述第一电极均包含铟和锌,
    其中所述像素电极与所述第一电极重叠,所述绝缘层夹在所述像素电极和所述第一电极之间以形成电容器,
    其中所述第一电极与所述绝缘层接触,
    其中所述第一电极包含与所述半导体层相同的材料,并且
    其中所述半导体层与所述第一电极具有基本上相同的厚度。

    28.  根据权利要求25-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述液晶层被配置为由所述像素电极与所述第一电极之间产生的电场驱动。

    29.  根据权利要求25-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述半导体层和所述第一电极均还包含镓。

    30.  根据权利要求25-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述半导体层和所述第一电极均包含a-InGaZnO。

    31.  根据权利要求25-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述绝缘层包括与所述第一电极重叠的开口。

    32.  根据权利要求25-27中的任一项所述的液晶显示设备,还包括在所述第一衬底之上的布线,
    其中所述栅极绝缘层在所述布线之上,并且
    其中所述布线电连接于所述第一电极。

    33.  根据权利要求25-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述第一电极包含增强所述第一电极的导电率的杂质。

    34.  根据权利要求33所述的液晶显示设备,其中所述杂质是选自磷、硼、镓和砷中的至少一种。

    35.  根据权利要求25-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述半导体层和所述第一电极是通过包括以下步骤的工艺形成的:
    在所述栅极绝缘层之上形成半导体膜;以及
    刻蚀所述半导体膜以形成所述半导体层和所述第一电极。

    36.  根据权利要求16-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述绝缘层包含氮。

    37.  根据权利要求16-27中的任一项所述的液晶显示设备,其中所述栅极绝缘层包含氮。

    38.  根据权利要求16-27中的任一项所述的液晶显示设备,还包括在所述第一衬底之上的第二栅电极,其中所述半导体层被设置在所述第二栅电极之上,所述栅极绝缘层夹在所述半导体层和所述第二栅电极之间。

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