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    广西11选5的技巧: 一种低压差线性稳压器.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201510377356.1

    申请日:

    2015.06.30

    公开号:

    CN104950975A

    公开日:

    2015.09.30

    当前法律状态:

    终止

    有效性:

    无权

    法律详情: 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20150630授权公告日:20160727终止日期:20170630|||授权|||实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20150630|||公开
    IPC分类号: G05F1/56 主分类号: G05F1/56
    申请人: 电子科技大学
    发明人: 罗萍; 曹灿华; 周才强; 杨东杰; 张翔; 甄少伟; 周孙泽
    地址: 611731四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
    优先权:
    专利代理机构: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 代理人: 葛启函
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510377356.1

    授权公告号:

    |||||||||

    法律状态公告日:

    2018.07.17|||2016.07.27|||2015.11.04|||2015.09.30

    法律状态类型:

    专利权的终止|||授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明属于模拟集成电路技术领域,具体的说涉及一种无输出电容型高电源抑制比的低压差线性稳压器。本发明的一种低压差线性稳压器,包括依次连接的偏置电路、第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、密勒补偿电路和输出电路;其特征在于,还包括电源抑制比增强电路;偏置电路为误差放大器A1、A2提供尾电流,密勒补偿电路由PMOS管P6、P7和NMOS管N11、N12以及电容Cm组成;输出电路由功率管MP、反馈电阻Rf、负载电阻RL所组成;电源抑制比增强电路由宽带宽的运算放大器A3、电阻R1、R2、电容C2以及PMOS管P8所组成。本发明的有益效果为,能够有效提高LDR中频段的电源抑制能力,同时采用片内补偿的方法,使得芯片更易于集成。本发明尤其适用于低压差线性稳压器。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种低压差线性稳压器,包括依次连接的偏置电路、第一运算放大器A1、第二运算放大器A2、密勒补偿电路和输出电路;其特征在于,还包括电源抑制比增强电路;
    所述偏置电路分别输出第一路偏置电压Vb1和第二路偏置电压Vb2到第一运算放大器A1;所述第一运算放大器A1的正向输入端接外部基准电压Vref,其负向输入端接外部输入电压,其正向输出端接第二运算放大器A2的正向输入端,其负向输出端接第二运算放大器A2的负向输入端;
    所述密勒补偿电路由第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第三电容Cm、第十一NMOS管M11和第十二NMOS管N12构成;其中,第六PMOS管P6的源极接电源VDD,其栅极和漏极互连,其栅极接第七PMOS管P7的栅极,第六PMOS管P6的漏极接第十一NMOS管M11的漏极;第七PMOS管P7的源极接电源VDD,其漏极接第十二NMOS管N12的漏极;第十一NMOS管N11的栅极接第二运算放大器A2的输出端,其源极接地GND;第十二NMOS管N12的栅极接第一运算放大器A1的负向输出端,其源极接地GND;第三电容Cm的一端接第二运算放大器A2的输出端;
    所述输出电路由功率管MP、反馈电阻Rf和负载电阻RL构成;其中,功率管MP的源极接电源VDD,其栅极接第七PMOS管P7的漏极,其漏极通过反馈电阻Rf后接地GND;负载电阻RL的一端接第三电容Cm的另一端,其另一端接地GND;
    所述电源抑制比增强电路由第八PMOS管P8、第三运算放大器、第二电容C2、第一电阻R1和第二电阻R2构成;其中,第八PMOS管P8的源极接电源VDD,其栅极通过第二电容C2后接第三运算放大器的输出端,其漏极接第七PMOS管P7的漏极;第三运算放大器的电源端接偏置电路的输出端,其正向输入端接第七PMOS管P7的漏极,其负向输入端接其输出端,其输出端依次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地GND。

    2.  根据权利要求1所述的一种低压差线性稳压器,其特征在于,所述第一误差放大器由第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7和第八NMOS管N8构成;其中,第一PMOS管P1的源极接电源VDD,其栅极接第二路偏置电压Vb2,其漏极接第二PMOS管P2和第三PMOS管P3的源极;第二PMOS管P2的栅极接第七NMOS管N7的源极,其漏极接第一NMOS管N1的漏极;第三PMOS管P3的栅极接第八NMOS管N8的源极,其漏极接第二NMOS管N2的漏极;第七NMOS管N7的栅极为第一误差放大器的正向输入端,其漏极接电源VDD,其源极接第四 NMOS管N4的漏极;第八NMOS管N8的栅极为第一误差放大器的负向输入端,其漏极接电源VDD,其源极接第六NMOS管N6的漏极;第四NMOS管N4的栅极接第一路偏置电压Vb1,其源极接地GND;第六NMOS管N6的栅极接第一路偏置电压Vb1,其源极接地GND;第一NMOS管N1的栅极接第五NMOS管N5的栅极和漏极,第一NMOS管N1的源极接地GND;第二NMOS管N2的栅极接第三NMOS管的栅极和漏极,第二NMOS管N2的源极接地GND;
    所述第二误差放大器由第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第九NMOS管N9和第十NMOS管N10构成;其中,第四PMOS管P4的源极接电源VDD,其栅极与漏极互连,其栅极接第五PMOS管P5的栅极,其漏极接第九NMOS管N9的漏极;第九NMOS管N9的栅极接第二NMOS管N2的栅极,其源极接地GND;第五PMOS管P5的源极接电源VDD,其漏极接第十NMOS管N10的漏极;第十NMOS管N10的栅极接第一NMOS管N1的栅极,其源极接地GND。

    3.  根据权利要求2所述的一种低压差线性稳压器,其特征在于,所述第三运算放大器由第九PMOS管P9、第十PMOS管P10、第十一PMOS管P11、第十二PMOS管P12、第十三NMOS管N13、第十四NMOS管M14、第十五NMOS管N15、第十六NMOS管N16、第十七NMOS管N17、第十八NMOS管M18、第十九NMOS管N19、第二十NMSO管N20和第一电容C1构成;其中,第十三PMOS管P13的源极接电源VDD,其栅极接第二路偏置电压Vb2,其漏极接第九PMOS管P9的源极和第十PMOS管P10的源极;第九PMOS管P9的栅极接第十九NMOS管N19的源极,其漏极接第十三NMOS管N13的漏极;第十九NMOS管N19的漏极接电源VDD,其源极接第十五NMOS管M15的漏极,其栅极为第三运算放大器的负向输入端;第十五NMOS管N15的栅极接第一路偏置电压Vb1,其源极接地GND;第十三NMOS管N13的栅极和漏极互连,其栅极接第十七NMOS管N17的栅极,其源极接地GND;第十七NMOS管N17的漏极接第十一PMOS管P11的漏极,其源极接地GND;第十一PMOS管P11的栅极和漏极互连,其栅极接第十二PMOS管P12的栅极,其源极接电源VDD;第十二PMOS管的源极接电源VDD,其漏极接第十八NMOS管N18的漏极;第十二PMOS管P12的漏极与第十八NMOS管N18的漏极的连接点通过第一电容C1后接地GND;第十八NMOS管N18的栅极接第十四NMOS管N14的栅极,其源极接地GND;第十四NMOS管N14的栅极和漏极互连,其漏极接第十PMOS管P10的漏极,其源极接地GND;第十PMOS管P10的栅极接地第二十NMOS管N20的源极;第二十NMSO管N20的漏极接电源VDD,其栅极为第三运算放大器的正向输入端,其源极接第十六NMOS管N16的漏极; 第十六NMOS管N16的栅极接第一路偏置电压Vb1,其源极接地GND。

    关 键 词:
    一种 低压 线性 稳压器
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