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    广西11选5现场: IPS型ONCELL触控显示面板及其制作方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201510342659.X

    申请日:

    2015.06.18

    公开号:

    CN104880847A

    公开日:

    2015.09.02

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1333申请日:20150618|||公开
    IPC分类号: G02F1/1333; G02F1/1343; G02F1/1362 主分类号: G02F1/1333
    申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
    发明人: 徐向阳
    地址: 518132广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号
    优先权:
    专利代理机构: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510342659.X

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2019.04.30|||2015.09.30|||2015.09.02

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明提供一种IPS型On Cell触控显示面板及其制作方法。该IPS型On Cell触控显示面板包括相对设置的阵列彩膜基板(1)与上基板(3)、夹设于阵列彩膜基板(1)与上基板(3)之间的液晶层(5)、及设于上基板(3)远离液晶层(5)一侧的触控电极(7);所述阵列彩膜基板(1)设置有TFT(T)、像素电极(18)、梳状的公共电极(20)、与彩膜光阻(17),集成了TFT阵列与彩膜滤光的功能;所述上基板(3)仅包括上衬底基板(31)、及设于上衬底基板(31)靠近液晶层(5)一侧表面上的上配向膜(33);所述触控电极(7)设于该上衬底基板(3)远离液晶层(5)一侧的表面上,所述触控电极(7)经过高温退火处理,从而电阻较低、触控灵敏度较高。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种IPS型On Cell触控显示面板,其特征在于,包括阵列彩膜基板(1)、与所述阵列彩膜基板(1)相对设置的上基板(3)、夹设于所述阵列彩膜基板(1)与上基板(3)之间的液晶层(5)、及设于所述上基板(3)远离液晶层(5)一侧的触控电极(7);
    所述阵列彩膜基板(1)设置有TFT(T)、像素电极(18)、梳状公共电极(20)、与彩膜光阻(17),集成了TFT阵列与彩膜滤光的功能;
    所述上基板(3)仅包括上衬底基板(31)、及设于所述上衬底基板(31)靠近液晶层(5)一侧表面上的上配向膜(33);
    所述触控电极(7)设于该上衬底基板(3)远离液晶层(5)一侧的表面上,所述触控电极(7)经过高温退火处理。

    2.  如权利要求1所述的IPS型On Cell触控显示面板,其特征在于,所述阵列彩膜基板(1)具体包括下衬底基板(11)、设于所述下衬底基板(11)上的栅极(121)与扫描线(122)、设于栅极(121)、扫描线(122)与下衬底基板(11)上的栅极绝缘层(13)、于所述栅极(121)上方设于栅极绝缘层(13)上的岛状半导体层(14)、设于所述栅极绝缘层(13)上分别接触岛状半导体层(14)两侧的源\漏极(151)、设于所述栅极绝缘层(13)上的数据线(152)、设于所述源\漏极(151)、数据线(152)与栅极绝缘层(13)上的绝缘?;げ?16)、设于绝缘?;げ?16)上的彩膜光阻(17)、设于所述彩膜光阻(17)上并接触部分源\漏极(151)的像素电极(18)、设于所述像素电极(18)与彩膜光阻(17)上的绝缘层(19)、于所述绝缘层(19)上与像素电极(18)相对设置的梳状公共电极(20)、设于所述绝缘层(19)上的黑色矩阵(21)、设于所述黑色矩阵(21)上的光阻间隔物(22)、以及覆盖所述绝缘层(19)、公共电极(20)、黑色矩阵(21)、与光阻间隔物(22)的下配向膜(23);
    所述栅极(121)、岛状半导体层(14)、及源\漏极(151)构成TFT(T)。

    3.  如权利要求1所述的IPS型On Cell触控显示面板,其特征在于,所述触控电极(7)的材料为ITO。

    4.  如权利要求1所述的IPS型On Cell触控显示面板,其特征在于,所述像素电极(18)与公共电极(20)的材料为ITO。

    5.  如权利要求2所述的IPS型On Cell触控显示面板,其特征在于,所述上衬底基板(31)与下衬底基板(11)均为玻璃基板。

    6.  一种IPS型On Cell触控显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
    步骤1、提供上衬底基板(31),在所述上衬底基板(31)的一侧表面上涂布配向液,形成上配向膜(33),完成上基板(3)的制作;
    步骤2、在所述上衬底基板(31)与配向膜(33)相对的另一侧表面上制作触控电极(7),并对所述触控电极(7)进行高温退火处理,以降低触控电极(7)的电阻;
    步骤3、提供阵列彩膜基板(1),所述阵列彩膜基板(1)设置有TFT(T)、像素电极(18)、梳状公共电极(20)、与彩膜光阻(17),集成了TFT阵列与彩膜滤光的功能;
    步骤4、将阵列彩膜基板(1)与上基板(3)对组,使所述上配向膜(33)朝向阵列彩膜基板(1),向阵列彩膜基板(1)与上基板(3)之间灌入液晶,形成液晶层(5)。

    7.  如权利要求6所述的IPS型On Cell触控显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤2还包括在对所述触控电极(7)进行高温退火处理后,涂布一层覆盖所述触控电极(7)的有机?;つ?;
    所述步骤4还包括去除所述有机?;つ?。

    8.  如权利要求7所述的IPS型On Cell触控显示面板的制作方法,其特征在于,所述有机?;つさ牟牧衔埘Q前坊蚬饪探?,厚度为3~5μm。

    9.  如权利要求6所述的IPS型On Cell触控显示面板的制作方法,其特征在于,所述阵列彩膜基板(1)具体包括下衬底基板(11)、设于所述下衬底基板(11)上的栅极(121)与扫描线(122)、设于栅极(121)、扫描线(122)与下衬底基板(11)上的栅极绝缘层(13)、于所述栅极(121)上方设于栅极绝缘层(13)上的岛状半导体层(14)、设于所述栅极绝缘层(13)上分别接触岛状半导体层(14)两侧的源\漏极(151)、设于所述栅极绝缘层(13)上的数据线(152)、设于所述源\漏极(151)、数据线(152)与栅极绝缘层(13)上的绝缘?;げ?16)、设于绝缘?;げ?16)上的彩膜光阻(17)、设于所述彩膜光阻(17)上并接触部分源\漏极(151)的像素电极(18)、设于所述像素电极(18)与彩膜光阻(17)上的绝缘层(19)、于所述绝缘层(19)上与 像素电极(18)相对设置的梳状公共电极(20)、设于所述绝缘层(19)上的黑色矩阵(21)、设于所述黑色矩阵(21)上的光阻间隔物(22)、以及覆盖所述绝缘层(19)、公共电极(20)、黑色矩阵(21)、与光阻间隔物(22)的下配向膜(23);
    所述栅极(121)、岛状半导体层(14)、及源\漏极(151)构成TFT(T)。

    10.  如权利要求9所述的IPS型On Cell触控显示面板的制作方法,其特征在于,所述触控电极(7)、像素电极(18)与公共电极(20)的材料为ITO;所述上衬底基板(31)与下衬底基板(11)均为玻璃基板。

    关 键 词:
    IPS ONCELL 显示 面板 及其 制作方法
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