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    今天广西11选5走势图: 在通孔与电容器的极板之间具有电介质的电容器.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201480012684.5

    申请日:

    2014.03.12

    公开号:

    CN105009280A

    公开日:

    2015.10.28

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/498申请日:20140312|||公开
    IPC分类号: H01L23/498; H01F17/00 主分类号: H01L23/498
    申请人: 高通股份有限公司
    发明人: J-H·兰; C·左; C·尹; D·F·伯蒂; D·D·金; R·P·米库尔卡; M·F·维纶茨; J·金
    地址: 美国加利福尼亚州
    优先权: 13/833,632 2013.03.15 US
    专利代理机构: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 亓云
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201480012684.5

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.12.15|||2015.11.25|||2015.10.28

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    在特定实施例中,设备包括基板、至少部分地穿过该基板延伸的通孔、以及电容器。电容器的电介质位于该通孔与电容器的极板之间,并且电容器的极板在基板以外并且在该设备内。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种器件,包括:
    基板;
    至少部分地穿过所述基板延伸的通孔;以及
    电容器,其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间,并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外并且在所述器件内。

    2.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述极板在层间电介质(ILD)层中。

    3.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述极板包括第二金属层。

    4.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,电感器包括所述通孔并且其中谐振电路包括所述电感器和所述电容器。

    5.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述基板包括玻璃型基板并且其中所述通孔包括透玻通孔。

    6.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述基板包括玻璃基板、石英基板、绝缘体上硅(SOI)基板、蓝宝石上硅(SOS)基板、高电阻率基板(HRS)、砷化镓(GaAs)基板、磷化铟(InP)基板、碳化硅(SiC)基板、氮化铝(AlN)基板、罗杰斯层叠、或塑料基板。

    7.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述通孔是金属填充型通孔。

    8.  如权利要求7所述的器件,其特征在于,所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)或金(Au)中的至少一者。

    9.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述通孔包括具有聚合物核的金属结构。

    10.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述电介质包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)中的至少一者。

    11.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。

    12.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述通孔的面向电介质的 表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。

    13.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。

    14.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述电容器的第二电介质位于所述通孔与所述电介质之间。

    15.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括部分地穿过所述基板延伸的第二通孔,其中所述通孔部分地穿过所述基板延伸并且其中所述通孔和所述第二通孔在所述基板内结合。

    16.  如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述通孔延伸穿过所述基板。

    17.  一种方法,包括:
    形成至少部分地穿过器件的基板延伸的通孔;以及
    形成电容器,其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间,并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外并且在所述器件内。

    18.  如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述通孔是使用化学机械抛光(CMP)平坦化工艺来形成的。

    19.  如权利要求17所述的方法,其特征在于,进一步包括用金属填充所述通孔。

    20.  如权利要求17所述的方法,其特征在于,进一步包括用金属和聚合物填充所述通孔。

    21.  如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述通孔的面向电介质的表面大于所述电容器的所述极板的表面。

    22.  如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述通孔的面向电介质的表面与所述电容器的所述极板的表面大小相同。

    23.  如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述通孔的面向电介质的表面小于所述电容器的所述极板的表面。

    24.  如权利要求17所述的方法,其特征在于,所述通孔是使用倾斜通孔形成工艺来形成的。

    25.  一种设备,包括:
    用于存储电荷的装置,所述用于存储电荷的装置包括电介质;以及
    用于传导电流的装置,所述用于传导电流的装置至少部分地穿过基板延伸,其中所述电介质位于所述用于传导电流的装置与所述用于存储电荷的装置的极板之间并且其中所述极板在所述基板以外并且在所述设备内。

    26.  如权利要求25所述的设备,其特征在于,所述用于存储电荷的装置包括电容器,并且所述用于传导电流的装置包括通孔。

    27.  如权利要求25所述的设备,其特征在于,所述用于存储电荷的装置和所述用于传导电流的装置被集成在至少一个管芯中。

    28.  如权利要求25所述的设备,其特征在于,进一步包括选自以下的组的其中集成有所述用于存储电荷的装置和所述用于传导电流的装置的器件:蜂窝电话、无线局域网(LAN)设备、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机。

    29.  一种存储指令的计算机可读存储设备,所述指令在由处理器执行时使所述处理器执行操作,所述操作包括:
    发起形成至少部分地穿过器件的基板延伸的通孔;以及
    发起形成电容器,其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间,并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外并且在所述器件内。

    30.  如权利要求29所述的计算机可读存储设备,其特征在于,所述处理器被集成到电子设备中。

    31.  一种方法,包括:
    用于形成至少部分地穿过器件的基板延伸的通孔的步骤;以及
    用于形成电容器的步骤,其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间,并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外并且在所述器件内。

    32.  如权利要求31所述的方法,其特征在于,所述用于形成所述通孔的步骤和所述用于形成所述电容器的步骤是由集成到电子设备中的处理器执行的。

    33.  一种方法,包括:
    接收数据文件,所述数据文件包括对应于器件的设计信息;以及
    根据设计信息制造所述器件,其中所述器件包括:
    基板;
    至少部分地穿过所述基板延伸的通孔;以及
    电容器,其中所述电容器的电介质位于所述通孔与所述电容器的极板之间,并且其中所述电容器的所述极板在所述基板以外并且在所述器件内。

    34.  如权利要求33所述的方法,其特征在于,所述数据文件具有图形数据系统(GDSII)格式。

    35.  如权利要求33所述的方法,其中所述数据文件具有GERBER格式。

    关 键 词:
    电容器 极板 之间 具有 电介质
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