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    广西11选5彩票控: 用于生成共源共栅电流源偏置电压的系统和方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201410741355.6

    申请日:

    2014.12.05

    公开号:

    CN104898750A

    公开日:

    2015.09.09

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20141205|||公开
    IPC分类号: G05F1/56 主分类号: G05F1/56
    申请人: 三星显示有限公司
    发明人: N.贾法里
    地址: 韩国京畿道
    优先权: 61/912,475 2013.12.05 US; 14/548,187 2014.11.19 US
    专利代理机构: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 邵亚丽
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410741355.6

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.04.06|||2016.12.14|||2015.09.09

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    提供了利用偏置电路来为共源共栅电流源生成偏置电压的电路和方法以及用于共源共栅电流源的偏置电路。一种电路包括:共源共栅电流源,其包括:电流镜晶体管;以及共源共栅晶体管;以及耦合到共源共栅电流源的偏置电路,该偏置电路包括:电流源;第一晶体管,该第一晶体管串联耦合到电流源以形成通过电流源和第一晶体管的第一电流路径;第二晶体管,该第二晶体管串联耦合到电流源;以及第三晶体管,该第三晶体管串联耦合到第二晶体管和电流源以形成通过电流源以及第二晶体管和第三晶体管的第二电流路径,其中第三晶体管具有按一倍数大于第二晶体管的沟道比率的沟道比率,该倍数是根据偏置电路的设计因素确定的。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种利用偏置电路来为共源共栅电流源生成偏置电压的电路,包括:
    共源共栅电流源,包括:
    电流镜晶体管;以及
    共源共栅晶体管;以及
    耦合到所述共源共栅电流源的偏置电路,该偏置电路包括:
    电流源;
    第一晶体管,该第一晶体管串联耦合到所述电流源以形成通过所述电流源和所述第一晶体管的第一电流路径;
    第二晶体管,该第二晶体管串联耦合到所述电流源;以及
    第三晶体管,该第三晶体管串联耦合到所述第二晶体管和所述电流源以形成通过所述电流源以及所述第二晶体管和第三晶体管的第二电流路径,其中所述第三晶体管具有按一倍数大于所述第二晶体管的沟道比率的沟道比率,所述倍数是根据所述偏置电路的设计因素确定的。

    2.  如权利要求1所述的电路,其中,所述设计因素包括所述电流源工作时的最小供应电压。

    3.  如权利要求1所述的电路,其中,所述设计因素包括所述电流源两端的参考电压。

    4.  如权利要求1所述的电路,其中,所述设计因素包括所述第二晶体管的阈值电压。

    5.  如权利要求1所述的电路,其中,所述倍数等于其中VOV是所述第二晶体管的漏源饱和电压,VDD_min是所述电流源工作时的最小供应电压,Vth是所述第二晶体管的阈值电压,并且VREF是所述电流源两端的参考电压。

    6.  如权利要求1所述的电路,其中,所述第一晶体管的栅极电极耦合到所述电流镜晶体管的栅极电极以向所述共源共栅电流源提供电流镜偏置电压,并且所述第二晶体管的栅极电极耦合到所述共源共栅晶体管的栅极电极以向所述共源共栅电流源提供共源共栅偏置电压。

    7.  一种用于共源共栅电流源的偏置电路,该偏置电路包括:
    电流源;
    第一晶体管,该第一晶体管串联耦合到所述电流源;
    第二晶体管,该第二晶体管串联耦合到所述电流源;以及
    第三晶体管,该第三晶体管串联耦合到所述第二晶体管和所述电流源,其中所述第三晶体管具有按一倍数大于所述第二晶体管的沟道比率的沟道比率,所述倍数是根据所述偏置电路的设计因素来确定的。

    8.  如权利要求7所述的偏置电路,其中,所述设计因素包括所述电流源工作时的最小供应电压。

    9.  如权利要求7所述的偏置电路,其中,所述设计因素包括所述电流源两端的参考电压。

    10.  如权利要求7所述的偏置电路,其中,所述设计因素包括所述第二晶体管的阈值电压。

    11.  如权利要求7所述的偏置电路,其中,所述倍数等于其中VOV是所述第二晶体管的漏源饱和电压,VDD_min是所述电流源工作时的最小供应电压,Vth是所述第二晶体管的阈值电压,并且VREF是所述电流源两端的参考电压。

    12.  如权利要求7所述的偏置电路,其中:
    所述第一晶体管包括:
    第一电极,该第一电极耦合到所述电流源以接收参考电流;
    第二电极,该第二电极耦合到电压源;以及
    栅极电极,该栅极电极耦合到所述第一晶体管的第一电极;
    所述第二晶体管包括:
    第一电极,该第一电极耦合到所述电流源以接收所述参考电流;
    第二电极;以及
    栅极电极,该栅极电极耦合到所述第二晶体管的第一电极;并且
    所述第三晶体管包括:
    第一电极,该第一电极耦合到所述第二晶体管的第二电极;
    第二电极,该第二电极耦合到所述电压源;以及
    栅极电极,该栅极电极耦合到所述第三晶体管的第一电极。

    13.  如权利要求7所述的偏置电路,其中,通过所述电流源和所述第一 晶体管形成第一电流路径,并且通过所述电流源、所述第二晶体管和所述第三晶体管形成第二电流路径。

    14.  一种利用偏置电路来为共源共栅电流源生成偏置电压的方法,该方法包括:
    通过包括电流源和串联耦合到该电流源的第一晶体管的第一电流路径提供电流以在所述第一晶体管的栅极电极处生成电流镜偏置电压;以及
    通过包括所述电流源、第二晶体管和第三晶体管的第二电流路径提供电流以在所述第二晶体管的栅极电极处生成共源共栅偏置电压,其中所述第三晶体管具有按一倍数大于所述第二晶体管的沟道比率的沟道比率,所述倍数是根据所述偏置电路的设计因素来确定的。

    15.  如权利要求14所述的方法,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管是二极管耦合式的。

    16.  如权利要求14所述的方法,其中,所述设计因素包括所述电流源工作时的最小供应电压。

    17.  如权利要求14所述的方法,其中,所述设计因素包括所述电流源两端的参考电压。

    18.  如权利要求14所述的方法,其中,所述设计因素包括所述第二晶体管的阈值电压。

    19.  如权利要求14所述的方法,其中,所述倍数等于其中VOV是所述第二晶体管的漏源饱和电压,VDD_min是所述电流源工作时的最小供应电压,Vth是所述第二晶体管的阈值电压,并且VREF是所述电流源两端的参考电压。

    20.  如权利要求14所述的方法,其中:
    所述第一晶体管包括:
    第一电极,该第一电极耦合到所述电流源以接收参考电流;
    第二电极,该第二电极耦合到电压源;以及
    栅极电极,该栅极电极耦合到所述第一晶体管的第一电极;
    所述第二晶体管包括:
    第一电极,该第一电极耦合到所述电流源以接收所述参考电流;
    第二电极;以及
    栅极电极,该栅极电极耦合到所述第二晶体管的第一电极;并且所述第三晶体管包括:
    第一电极,该第一电极耦合到所述第二晶体管的第二电极;
    第二电极,该第二电极耦合到所述电压源;以及
    栅极电极,该栅极电极耦合到所述第三晶体管的第一电极。

    关 键 词:
    用于 生成 共源共栅 电流 偏置 电压 系统 方法
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