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    彩经网广西11选5: 一种低功耗高速电源钳位电路.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201410168036.0

    申请日:

    2014.04.24

    公开号:

    CN105005345A

    公开日:

    2015.10.28

    当前法律状态:

    撤回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):G05F 1/56申请公布日:20151028|||实质审查的生效IPC(主分类):G05F 1/56申请日:20140424|||公开
    IPC分类号: G05F1/56 主分类号: G05F1/56
    申请人: 苏州华芯微电子股份有限公司
    发明人: 黄君山; 余丽云; 石万文; 江石根
    地址: 215011江苏省苏州市向阳路198号
    优先权:
    专利代理机构: 代理人:
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410168036.0

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2017.05.03|||2015.11.25|||2015.10.28

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种低功耗高速电源钳位电路,它包括运算放大器、第一场效应管晶体管和第一~四电阻,所述第一场效应晶体管漏极接经第一电阻接入电源电压,栅极与所述运算放大器输出端和所述第二电阻一端连接,源极接地,所述运算放大器反向输入端与所述第三电阻一端和第四电阻一端连接,所述第四电阻另一端和所述第二电阻另一端接地,所述第三电阻另一端与所述第一场效应晶体管漏极连接,并作为电路输出端。本发明不仅结构简单,成本低,易于实施,而且响应速度快,功率损耗低,具有可靠的稳定性。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种低功耗高速电源钳位电路,其特征在于,它包括运算放大器、第一场效应管晶体管和第一~四电阻,所述第一场效应晶体管漏极接经第一电阻接入电源电压,栅极与所述运算放大器输出端和所述第二电阻一端连接,源极接地,所述运算放大器反向输入端与所述第三电阻一端和第四电阻一端连接,所述第四电阻另一端和所述第二电阻另一端接地,所述第三电阻另一端与所述第一场效应晶体管漏极连接,并作为电路输出端。

    2.  根据权利要求1所述的低功耗高速电源钳位电路,其特征在于,所述运放采用单级运算放大器。

    3.  根据权利要求2所述的低功耗高速电源钳位电路,其特征在于,所述单级运算放大器包括第二~七场效应晶体管,所述第二场效应晶体管漏极与所述第四场效应晶体管漏极连接,并作为所述单级运算放大器输出端,所述第二场效应晶体管栅极与所述第三场效应晶体管栅极、漏极以及所述第五场效应晶体管漏极连接,所述第五场效应晶体管栅极与所述第四场效应晶体管栅极连接,并接入偏置电流,所述第五场效应晶体管源极与所述第七场效应晶体管漏极连接,所述第四场效应晶体管源极与所述第六场效应晶体管漏极连接,所述第七场效应晶体管栅极作为所述单级运算放大器正向输入端,所述第六场效应晶体管栅极作为所述单级运算放大器反向输入端,所述第六场效应晶体管源极和所述第七场效应晶体管源极接地,所述第二场效应晶体管源极和所述第三场效应晶体管源极接基准电压。

    4.  根据权利要求1或3所述的低功耗高速电源钳位电路,其特征在于,所述第一、四、五、六、七场效应晶体管采用N型MOS管,所述第二、三场效应晶体管采用P型MOS管。

    关 键 词:
    一种 功耗 高速 电源 电路
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