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    广西11选5最大遗漏值: 射频电路仿真方法和系统.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201410081030.X

    申请日:

    2014.03.06

    公开号:

    CN104899344A

    公开日:

    2015.09.09

    当前法律状态:

    实审

    有效性:

    审中

    法律详情: 实质审查的生效IPC(主分类):G06F 17/50申请日:20140306|||公开
    IPC分类号: G06F17/50 主分类号: G06F17/50
    申请人: 苏州工业园区新国大研究院; 新加坡国立大学
    发明人: 郭永新; 仲正
    地址: 215123江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖科技创新区林泉街377号公共学院
    优先权:
    专利代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 代理人: 王茹; 王程
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201410081030.X

    授权公告号:

    |||

    法律状态公告日:

    2017.03.22|||2015.09.09

    法律状态类型:

    实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明公开了一种射频电路仿真方法和系统,所述方法包括:获取同一半导体场效应管在至少两组不同偏置电压值下的电路参数值;通过所述至少两组不同偏置电压值和获取的电路参数值构建所述半导体场效应管的多维查找模型,其中,所述多维查找模型的模型表达式包括电流源的表达式和电荷源的表达式;根据所述多维查找模型,对微波有源功率器件进行仿真。实施本发明的方法和系统,有效地考虑了不同偏置电压对所述半导体场效应管参数的影响,可获得更加精确的半导体场效应管参数,进而能够更有效地仿真出性能良好的电路及电子产品,提高仿真精确度和电路的运行性能。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种射频电路仿真方法,其特征在于,包括以下步骤:
    获取同一半导体场效应管在至少两组不同偏置电压值下的电路参数值;
    通过所述至少两组不同偏置电压值和获取的电路参数值构建所述半导体场效应管的多维查找模型,其中,所述多维查找模型的模型表达式包括电流源的表达式和电荷源的表达式;
    根据所述多维查找模型,对微波有源功率器件进行仿真。

    2.  根据权利要求1所述的射频电路仿真方法,其特征在于,当电路参数为导纳参数时,所述获取同一半导体场效应管在至少两组不同偏置电压值下的电路参数值的步骤包括以下步骤:
    在所述至少两组不同偏置电压值下,分别测量所述半导体场效应管在每组偏置电压值下的端口散射参数值;
    将测量所得的散射参数值转换为对应的导纳参数值。

    3.  根据权利要求1所述的射频电路仿真方法,其特征在于,所述通过所述至少两组不同偏置电压值和获取的电路参数值构建所述半导体场效应管的多维查找模型的步骤还包括以下步骤:
    根据所述至少两组不同偏置电压值和获取的电路参数值,数据拟合出电路参数与偏置电压间的函数关系;
    以预设的积分路径,对拟合出的函数关系的拟合系数进行路径积分,获取所述半导体场效应管的电流源的表达式和电荷源的表达式,其中,所述预设的积分路径以偏置电压为自变量;
    将获取的电流源的表达式和电荷源的表达式作为所述半导体场效应管的多维查找模型的模型表达式。

    4.  根据权利要求3所述的射频电路仿真方法,其特征在于,所述根据所述至少两组不同偏置电压值和获取的电路参数值,数据拟合出电路参数与偏置电压间的函数关系的步骤包括以下步骤:
    以如下所述的频率高次多项式为拟合方程:
    Ymn=Σk=0()2kGmn(k)+Σk=0()2kCmn(k),m,n=1,2;]]>
    其中,k为所述频率高次多项式的次数,Ymn为电路参数,j为虚数单位,ω为频率,和为拟合系数;
    根据所述至少两组不同偏置电压值和获取的电路参数值,拟合出以所述偏置电压为自变量和以所述拟合系数为应变量的函数表达式;
    将拟合出的函数表达式作为拟合系数代入所述频率高次多项式,生成所述电路参数与所述偏置电压间的函数关系。

    5.  根据权利要求3所述的射频电路仿真方法,其特征在于,在所述以预设的积分路径,对拟合出的函数关系的拟合系数进行路径积分,获取所述半导体场效应管的电流源的表达式和电荷源的表达式的步骤之前,还包括以下步骤:
    通过误差迭代法从所述半导体场效应管的多端口起始电压之间的积分路径中,选取积分误差最小的积分路径为所述预设的积分路径。

    6.  根据权利要求3所述的射频电路仿真方法,其特征在于,所述以预设的积分路径,对拟合出的函数关系的拟合系数进行路径积分,获取所述半导体场效应管的电流源的表达式和电荷源的表达式的步骤还包括以下步骤:
    通过以下所述公式对拟合出的函数关系的拟合系数进行路径积分:
    Qgs(k)(Vgsi,Vdsi)=∫Vgsi0VgsiC11(k)(vgsi,Vdsi0)·dvgsi+∫Vdsi0VdsiC12(k)(Vgsi,vdsi)·dvdsi;]]>
    Qds(k)(Vgsi,Vdsi)=∫Vgsi0VgsiC21(k)(Vgsi,vdsi0)·dvgsi+∫Vdsi0VdsiC22(k)(vgsi,Vdsi)·dvgsi;]]>
    Igs(k)(Vgsi,Vdsi)=Igs(k)(Vgsi0,Vdsi0)+∫Vgsi0VgsiG11(k)(vgsi,Vdsi0)·dvgsi+∫Vdsi0VdsiG12(k)(Vgsi,vdsi)·dvdsi;]]>
    Ids(k)(Vgsi,Vdsi)=Ids(k)(Vgsi0,Vdsi0)+∫Vgsi0VgsiG21(k)(vgsi,Vdsi0)·dvgsi+∫Vdsi0VdsiG22(k)(Vgsi,vdsi)·dvdsi;]]>
    其中,和分别为拟合出的函数关系的拟合系数,Vgsi0和Vdsi0分别为栅源偏置电压积分起始点和漏源偏置电压积分起始点,Vgsi和Vdsi分别为栅源偏置电压点和漏源偏置电压点,νgsi和νdsi分别为栅源偏置电压积分自变量和漏源偏置电压积分自变量,分别为对应电荷源的系数和对应电流源的系数;
    将上述路径积分的积分结果代入以下所述公式,生成所述半导体场效应管的电流源的表达式和电荷源的表达式:
    Qgs=Σk=0()2kQgs(k);]]>
    Qds=Σk=0()2kQds(k);]]>
    Igs=Igs0+Σk=0()2kIgs(k);]]>
    Ids=Ids0+Σk=0()2kIds(k);]]>
    其中,Qgs、Qds分别为栅源电荷源、漏源电荷源,Igs、Ids分别为栅源电流源、漏源电流源,j为虚数单位,ω为频率。

    7.  根据权利要求1至6中任意一项所述的射频电路仿真方法,其特征在于,所述根据所述多维查找模型,对微波有源功率器件进行仿真的步骤还包括以下步骤:
    根据所述电流源的表达式和所述电荷源的表达式,获取多组不同偏置电压值对应的电流源值和电荷源值,并以表格形式对应存储,生成多维查找表;
    根据所述多维查找表,查找与输入的偏置电压对应的电流源值和电荷源值,并根据查找到的电流源值和电荷源值对微波有源功率器件进行仿真。

    8.  根据权利要求7所述的射频电路仿真方法,其特征在于,在所述根据所述多维查找表,查找与输入的偏置电压对应的电流源值和电荷源值的步骤之前,还包括以下步骤:
    分别通过窄脉冲测量方法和连续波测量方法,获取所述半导体场效应管的电压特性和电流特性;
    基于获取的电压特性和电流特性,通过准二维迭代方法获取所述半导体场效应管的沟道温度分别对电压特性和电流特性的修正函数;
    将获取的修正函数的参数作为对应电流源和电荷源的修正参数,存储到所述多维查找表中。

    9.  根据权利要求7所述的射频电路仿真方法,其特征在于,在所述根据所述多维查找表,查找与输入的偏置电压对应的电流源值和电荷源值的步骤之前, 还包括以下步骤:
    获取所述预设的积分路径的积分误差;
    将获取的积分误差作为对应电流源和电荷源的修正参数,存储到所述多维查找表中。

    10.  一种射频电路仿真系统,其特征在于,包括:
    获取???,用于获取同一半导体场效应管在至少两组不同偏置电压值下的电路参数值;
    建模???,用于通过所述至少两组不同偏置电压值和获取的电路参数值构建所述半导体场效应管的多维查找模型,其中,所述多维查找模型的模型表达式包括电流源的表达式和电荷源的表达式;
    仿真???,用于根据所述多维查找模型,对微波有源功率器件进行仿真。

    关 键 词:
    射频 电路 仿真 方法 系统
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