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    广西11选5最大遗漏: 一种阵列基板及其制造方法、显示装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201510572156.1

    申请日:

    2015.09.09

    公开号:

    CN105137685A

    公开日:

    2015.12.09

    当前法律状态:

    授权

    有效性:

    有权

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/1362申请日:20150909|||公开
    IPC分类号: G02F1/1362; G02F1/1343; G02F1/1333 主分类号: G02F1/1362
    申请人: 京东方科技集团股份有限公司
    发明人: 李文波; 武延兵
    地址: 100015北京市朝阳区酒仙桥路10号
    优先权:
    专利代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510572156.1

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2019.04.05|||2016.01.06|||2015.12.09

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域,以提高液晶显示装置的视角特性。所述阵列基板包括多个像素单元,其中,至少一个像素单元包括第一子像素电极和第二子像素电极,第一子像素电极电连接有第一充电薄膜晶体管,第二子像素电极电连接有第二充电薄膜晶体管;在同一像素单元中,第二充电薄膜晶体管的充电能力比所述第一充电薄膜晶体管的充电能力更强。所述制造方法是上述技术方案所提供的阵列基板的制造方法。所述液晶显示装置包括上述技术方案所提供的阵列基板。本发明提供的阵列基板及其制造方法、显示装置可用于液晶显示装置中。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种阵列基板,包括多个像素单元,其特征在于,至少一个所述像素单元包括第一子像素电极和第二子像素电极,所述第一子像素电极电连接有第一充电薄膜晶体管,所述第二子像素电极电连接有第二充电薄膜晶体管;在同一所述像素单元中,所述第二充电薄膜晶体管的充电能力比所述第一充电薄膜晶体管的充电能力更强。

    2.  根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在同一所述像素单元中,所述第一充电薄膜晶体管的宽长比小于所述第二充电薄膜晶体管的宽长比。

    3.  根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,在同一所述像素单元中,所述第一充电薄膜晶体管的宽长比与所述第二充电薄膜晶体管的宽长比的比值在80%-90%范围内。

    4.  根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在同一所述像素单元中,所述第一充电薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率小于所述第二充电薄膜晶体管的有源层的载流子迁移率。

    5.  根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括分压薄膜晶体管、降压存储电容以及公共电极线,所述分压薄膜晶体管包括分压栅极、分压源极、以及分压漏极,所述分压源极与所述第一子像素电极电连接;其中,所述分压漏极与所述公共电极线作为降压存储电容的两个电极。

    6.  根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元还包括分压存储电容,所述分压漏极与所述第二子像素电极作为所述分压存储电容的两个电极。

    7.  根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述分压存储电容与所述降压存储电容在同一平面上的投影至少部分交叠。

    8.  根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,在同一所述像素单元中,所述第一子像素电极和所述第二子像素电极位于所述栅线的两侧,或所述第一子像素电极和所述第二子像素电极位于所述数据线的两侧。

    9.  一种阵列基板的制造方法,所述方法包括:
    形成多个像素单元,至少一个所述像素单元包括第一充电薄膜晶体管,第二充电薄膜晶体管,第一子像素电极和第二子像素电极;
    其中,所述第一充电薄膜晶体管电连接所述第一子像素电极,所述第二充电薄膜晶体管电连接所述第二子像素电极;
    在同一所述像素单元中,所述第二充电薄膜晶体管的充电能力比所述第一充电薄膜晶体管的充电能力更强。

    10.  根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
    所述形成第一充电薄膜晶体管和第二充电薄膜晶体管具体包括:
    在衬底基板上形成栅金属层,所述栅金属层包括栅线、所述第一充电薄膜晶体管的充电栅极以及所述第二充电薄膜晶体管的充电栅极;
    在形成有栅金属层的衬底基板上形成栅绝缘层;
    在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有源层,所述有源层包括所述第一充电薄膜晶体管的有源层和所述第二充电薄膜晶体管的有源层;
    在形成有有源层的衬底基板上形成源漏金属层,所述源漏金属层包括所述第一充电薄膜晶体管的充电源极和充电漏极、以及所述第二充电薄膜晶体管的充电源极和充电漏极;
    所述阵列基板的制造方法还包括;
    在形成有源漏金属层的衬底基板上形成钝化层;
    所述形成多个像素单元具体包括:
    在形成有钝化层的衬底基板上形成像素电极层,所述像素电极层包括所述第一像素电极和所述第二像素电极。

    11.  根据权利要求10所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述第一充电薄膜晶体管的有源层的材料为非晶硅a-Si,所述第二充电薄膜晶体管的有源层的材料为低温多晶硅LTPS或高温多晶硅HTPS,所述在形成有栅绝缘层的衬底基板上形成有源层具体包括:
    以非晶硅a-Si为原料,在所述形成有栅绝缘层的衬底基板上形成所述有源层,进行有源层构图工艺,形成非晶硅a-Si制成的所述第一 充电薄膜晶体管的有源层和非晶硅a-Si制成的所述第二充电薄膜晶体管的有源层的预结构;
    对所述第二充电薄膜晶体管的有源层的预结构进行离子注入工艺,使非晶硅a-Si晶化为低温多晶硅LTPS或高温多晶硅HTPS,以形成所述第二充电薄膜晶体管的有源层。

    12.  一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

    关 键 词:
    一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置
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