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    广西11选5胆1拖6技法: 基于多重曝光的图形制作方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201510624108.2

    申请日:

    2015.09.27

    公开号:

    CN105137725A

    公开日:

    2015.12.09

    当前法律状态:

    驳回

    有效性:

    无权

    法律详情: 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G03F 7/20申请公布日:20151209|||实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20150927|||公开
    IPC分类号: G03F7/20 主分类号: G03F7/20
    申请人: 上?;ξ⒌缱佑邢薰?
    发明人: 毛晓明; 毛智彪; 杨正凯; 陈晓强
    地址: 201203上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
    优先权:
    专利代理机构: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 智云
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201510624108.2

    授权公告号:

    ||||||

    法律状态公告日:

    2018.05.04|||2016.01.06|||2015.12.09

    法律状态类型:

    发明专利申请公布后的驳回|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    一种基于多重曝光的图形制作方法,包括:将期望形成的密集初始图形分割成较为第一图形和第二图形,在掩模板上的不同区域分别形成第一图形和第二图形;在衬底硅片上沉积硅薄膜,然后涂敷光刻胶层,对光刻胶层进行加热固胶;以第一照明条件对光刻胶层执行第一次曝光,曝光图形为第一图形;以第二照明条件对光刻胶层执行第二次曝光,曝光图形为第二图形,使得第一图形与第二图形在光刻胶层上同时存在以组成密集初始图形;将晶圆转运入自动化光阻涂布及显影系統进行曝光后烘焙,两次曝光作业中被光照的光刻胶部分发生光酸反应;将晶圆执行显影,从而光刻胶保留部分形成密集初始图形;将晶圆执行蚀刻,从而在硅薄膜上形成了密集初始图形。

    权利要求书

    权利要求书
    1.  一种基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于包括:
    将期望形成的密集初始图形分割成较为相对稀疏的第一图形和第二图形,并且在掩模板上的不同区域分别形成第一图形和第二图形;
    在需要制作密集初始图形的衬底硅片上沉积硅薄膜,然后涂敷光刻胶层,并且对光刻胶层进行加热固胶;
    以第一照明条件对光刻胶层执行第一次曝光,曝光图形为来自掩模板的第一图形;
    以第二照明条件对光刻胶层执行第二次曝光,曝光图形为来自掩模板的第二图形,使得第一图形与第二图形在光刻胶层上同时存在以组成密集初始图形;
    将晶圆转运入自动化光阻涂布及显影系統进行曝光后烘焙,两次曝光作业中被光照的光刻胶部分发生光酸反应;
    将晶圆执行显影,从而光刻胶保留部分形成密集初始图形;
    将晶圆执行蚀刻,从而在硅薄膜上形成了密集初始图形。

    2.  根据权利要求1所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,所述硅薄膜为多晶硅薄膜。

    3.  根据权利要求1或2所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,所述硅薄膜为氧化硅薄膜。

    4.  根据权利要求1或2所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,第二照明条件不同于第一照明条件。

    5.  根据权利要求1或2所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,在对多个晶圆执行处理时,先针对所述多个晶圆中的每个晶圆执行第一次曝光, 然后再对所述多个晶圆中的每个晶圆执行第二次曝光。

    6.  根据权利要求1或2所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,在对多个晶圆执行处理时,在针对一个晶圆执行完第一次曝光和第二次曝光,再对下一个晶圆执行第一次曝光和第二次曝光。

    7.  根据权利要求1或2所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,第一次曝光和第二次曝光时曝光单元的布局被设计成使得第一次曝光和第二次曝光的曝光单元错位重叠后恰好是第一层图案与第二层图案的重合。

    8.  一种基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于包括:
    将期望形成的密集初始图形分割成较为相对稀疏的多个图形,并且在掩模板上的不同区域分别形成多个图形中的各个图形;
    在需要制作密集初始图形的衬底硅片上沉积硅薄膜,然后涂敷光刻胶层,并且对光刻胶层进行加热固胶;
    针对多个图形中的各个图形,根据来自掩模板的相应图形以对光刻胶层执行曝光,使得多个图形在光刻胶层上同时存在以组成密集初始图形;
    将晶圆转运入自动化光阻涂布及显影系統进行曝光后烘焙,两次曝光作业中被光照的光刻胶部分发生光酸反应;
    将晶圆执行显影,从而光刻胶保留部分形成密集初始图形;
    将晶圆执行蚀刻,从而在硅薄膜上形成了密集初始图形。

    9.  根据权利要求8所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,所述硅薄膜为多晶硅薄膜。

    10.  根据权利要求8所述的基于多重曝光的图形制作方法,其特征在于,所述硅薄膜为氧化硅薄膜。

    关 键 词:
    基于 多重 曝光 图形 制作方法
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