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    广西11选5任三玩法: 掺杂的多晶硅栅极的制作方法、MOS晶体管及其制作方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201110391707.6

    申请日:

    2011.11.30

    公开号:

    CN102376557B

    公开日:

    2015.01.14

    当前法律状态:

    有效性:

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/28申请日:20111130|||公开
    IPC分类号: H01L21/28; H01L21/336; H01L29/78; H01L29/423 主分类号: H01L21/28
    申请人: 格科微电子(上海)有限公司
    发明人: 霍介光; 赵立新
    地址: 201203 上海市浦东新区张东路1388号20幢
    优先权:
    专利代理机构: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110391707.6

    授权公告号:

    102376557B||||||

    法律状态公告日:

    2015.01.14|||2012.04.25|||2012.03.14

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及一种掺杂的多晶硅栅极的制作方法、MOS晶体管及其制作方法。该掺杂的多晶硅栅极的制作方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有多晶硅层;在所述多晶硅层上形成合金层,所述合金层的厚度不超过400埃;图形化所述多晶硅层与合金层以形成多晶硅栅极;对所述半导体衬底注入离子,以在所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底中形成离子掺杂区并且在所述多晶硅栅极中掺杂所述离子。

    权利要求书

    1: 一种掺杂的多晶硅栅极的制作方法, 包括下述步骤 : 提供半导体衬底, 所述半导体衬底上形成有多晶硅层 ; 在所述多晶硅层上形成合金层, 所述合金层厚度不超过 400 埃 ; 图形化所述多晶硅层与合金层以形成多晶硅栅极 ; 对所述半导体衬底注入离子, 以在所述多晶硅栅极两侧的半导体衬底中形成离子掺杂 区并且在所述多晶硅栅极中掺杂所述离子。
    2: 根据权利要求 1 所述的制作方法, 其特征在于, 所述合金层的厚度为 100 至 400 埃。
    3: 根据权利要求 1 所述的制作方法, 其特征在于, 所述合金层包括硅化钨、 氮硅化钨或 氮化钨。
    4: 根据权利要求 1 所述的制作方法, 其特征在于, 所述多晶硅层的厚度为 500 至 2000 埃。
    5: 根据权利要求 1 所述的制作方法, 其特征在于, 所述形成合金层的步骤进一步包括 : 通过化学气相沉积方式在所述多晶硅层上沉积合金材料。
    6: 根据权利要求 1 所述的制作方法, 其特征在于, 所述形成合金层的步骤进一步包括 : 在所述多晶硅层上沉积金属 ; 以及 对所述半导体衬底进行退火处理以在所述多晶硅层表面形成所述合金层。
    7: 根据权利要求 1 所述的制作方法, 其特征在于, 所述注入离子为砷离子, 其能量为 60 15 -2 15 -2 至 90keV, 注入剂量为 3×10 cm 至 6×10 cm 。
    8: 根据权利要求 1 所述的制作方法, 其特征在于, 所述注入离子为硼离子, 其能量为 4 15 -2 15 -2 至 9keV, 注入剂量为 3×10 cm 至 6×10 cm 。
    9: 一种 MOS 晶体管的制作方法, 其特征在于, 包括根据权利要求 1 至 8 中任一项所述的 掺杂的多晶硅栅极的制作方法。
    10: 一种 MOS 晶体管, 其特征在于, 包括 : 多晶硅栅极, 其形成于半导体衬底上, 所述多晶硅栅极掺杂为第一导电类型, 其中所述 多晶硅栅极具有位于其上的合金层 ; 以及 源区与漏区, 其形成在所述多晶硅栅极两侧的所述半导体衬底中, 所述源区与所述漏 区掺杂为与所述多晶硅栅极相同的导电类型, 并且其中所述源区与所述漏区的表面不形成 所述合金层。
    11: 根据权利要求 10 所述的 MOS 晶体管, 其特征在于, 所述合金层的厚度为 100 至 400 埃。
    12: 根据权利要求 10 所述的 MOS 晶体管, 其特征在于, 所述合金层包括硅化钨、 氮硅化 钨或氮化钨。
    13: 根据权利要求 10 所述的 MOS 晶体管, 其特征在于, 所述多晶硅栅极具有厚度为 500 至 2000 埃的多晶硅层。

    关 键 词:
    掺杂 多晶 栅极 制作方法 MOS 晶体管 及其
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