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    中国体育彩票广西11选5: 半导体装置.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201110351212.0

    申请日:

    2009.12.21

    公开号:

    CN102354705B

    公开日:

    2015.01.14

    当前法律状态:

    有效性:

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/423申请日:20091221|||公开
    IPC分类号: H01L29/423; H01L29/40; H01L29/20; H01L29/778 主分类号: H01L29/423
    申请人: 三垦电气株式会社
    发明人: 町田修; 岩渕昭夫
    地址: 日本埼玉县
    优先权: 2008.12.22 JP 2008-325409
    专利代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110351212.0

    授权公告号:

    102354705B||||||

    法律状态公告日:

    2015.01.14|||2012.03.28|||2012.02.15

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明的一个方面在于一种半导体装置,其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极,该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜,并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间,以及第四电极,其设置在该半导体区域的主表面上,并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。

    权利要求书

    1: 一种半导体装置, 其包含 : 半导体区域 ; 源极电极和漏极电极, 所述源极电极和漏极电极设置在所述半导体区域的主表面上 ; 栅极电极, 其具有常关闭特性, 所述栅极电极设置在所述半导体区域的主表面上同时 在其间插入 p 型材料膜, 并且所述栅极电极排列在所述源极电极和所述漏极电极之间 ; 以 及 第四电极, 其设置在所述半导体区域的主表面上, 并且所述第四电极排列在所述栅极 电极和所述漏极电极之间 ; 其中保留在所述第四电极之下的所述半导体区域的厚度大于保留在所述栅极电极之 下的所述半导体区域的厚度。
    2: 根据权利要求 1 所述的半导体装置, 其中所述第四电极和所述半导体区域之间的接 触面具有整流特性。
    3: 根据权利要求 1 所述的半导体装置, 其中所述第四电极设置在通过移除所述半导体 区域的主表面的一部分而形成的凹槽结构上。
    4: 根据权利要求 1 所述的半导体装置, 其中所述第四电极与所述半导体区域的主表面 进行肖特基接触。
    5: 根据权利要求 1 所述的半导体装置, 其中所述第四电极设置在所述半导体区域的主 表面上同时在其间插入所述 p 型材料膜。
    6: 根据权利要求 5 所述的半导体装置, 其中位于所述栅极电极之下的所述 p 型材料膜, 由与位于所述第四电极下面的所述 p 型材料膜相同的材料形成。
    7: 根据权利要求 1 所述的半导体装置, 其中所述源极电极和所述第四电极互相电连 接。

    关 键 词:
    半导体 装置
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    本文标题:半导体装置.pdf
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