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    体彩广西11选5香港津: 有机半导体装置及其制造方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201080002106.5

    申请日:

    2010.04.13

    公开号:

    CN102292816B

    公开日:

    2015.01.14

    当前法律状态:

    有效性:

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/786申请日:20100413|||公开
    IPC分类号: H01L29/786; H01L21/312; H01L21/336; H01L29/41; H01L29/417; H01L29/423; H01L29/49; H01L51/05 主分类号: H01L29/786
    申请人: 松下电器产业株式会社
    发明人: 受田高明
    地址: 日本大阪府
    优先权:
    专利代理机构: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201080002106.5

    授权公告号:

    102292816B||||||

    法律状态公告日:

    2015.01.14|||2013.01.23|||2011.12.21

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明涉及有机半导体装置及其制造方法。提供能够防止有机半导体层劣化的有机半导体装置。具备:基板(11);在基板上形成的栅电极(12);在栅电极上形成的栅绝缘膜(13);在栅绝缘膜上形成的漏电极(14);以包围漏电极的方式形成的环状的源电极(15);形成于栅绝缘膜上的由源电极包围的区域的有机半导体层(17);形成于栅绝缘膜上源电极的外侧的导电性引导部件(16);以及在由导电性引导部件包围的区域形成的?;つ?18)。

    权利要求书

    1.一种有机半导体装置,具备:
    基板;
    栅电极,其形成于所述基板上;
    栅绝缘膜,其形成于所述栅电极上;
    第1电极,其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的任一方;
    环状的第2电极,其为在所述栅绝缘膜上形成的源电极和漏电极的另
    一方的电极、并形成为包围所述第1电极;
    有机半导体层,其涂敷于所述栅绝缘膜上的、由所述环状的第2电极
    包围的区域以使其覆盖所述第1电极,并由所述环状的第2电极规定其外
    周;
    环状的导电性引导部件,其形成于所述栅绝缘膜上、所述环状的第2
    电极的外侧;以及
    对所述有机半导体层进行?;さ谋;つ?,其涂敷于由所述环状的导电
    性引导部件包围的区域以使其覆盖所述有机半导体层,并由所述环状的导
    电性引导部件规定其外周。
    2.根据权利要求1所述的有机半导体装置,
    进一步具备在所述?;つど闲纬傻牟慵渚的?。
    3.根据权利要求1或2所述的有机半导体装置,
    所述环状的第2电极为环状的源电极,
    对所述环状的导电性引导部件施加与施加于所述环状的源电极的电压
    相同电位的电压。
    4.根据权利要求3所述的有机半导体装置,
    施加于所述环状的导电性引导部件以及所述环状的源电极的电压为
    0V。
    5.根据权利要求1~4中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述?;つぐ晒饨涣母叻肿硬牧匣虻头肿硬牧?。
    6.根据权利要求1~4中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述?;つぐ晒饧叭冉涣母叻肿硬牧匣虻头肿硬牧?。
    7.根据权利要求1~6中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述环状的第2电极为以所述第1电极为中心的连续的环状形状。
    8.根据权利要求1~7中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述环状的第2电极为圆形形状。
    9.根据权利要求1~8中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述环状的导电性引导部件为圆形形状。
    10.根据权利要求1~7中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述环状的第2电极为矩形形状。
    11.根据权利要求1~7、10中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述环状的导电性引导部件为矩形形状。
    12.根据权利要求1~11中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述第1电极、所述环状的第2电极以及所述环状的导电性引导部件,
    以所述栅绝缘膜为形成的基础,形成为同一高度。
    13.根据权利要求1~11中的任一项所述的有机半导体装置,
    所述第1电极、所述环状的第2电极以及所述环状的导电性引导部件
    由同一材料形成。
    14.根据权利要求1~13中的任一项所述的有机半导体装置,
    进一步具备:
    引出布线,其在所述基板上与所述栅电极同层地形成;和
    接触部,其形成于所述第1电极的下方、且形成于所述栅绝缘膜,
    所述第1电极经由所述接触部与所述引出布线电连接。
    15.一种有机半导体装置制造方法,包括:
    第1工序,准备基板;
    第2工序,在所述基板上形成栅电极;
    第3工序,在所述栅电极上形成栅绝缘膜;
    第4工序,在所述栅绝缘膜上形成金属膜;
    第5工序,通过预定的图形化从所述金属膜形成第1电极、环状的第
    2电极以及环状的导电性引导部件,所述第一电极为源电极和漏电极的任
    一方,所述环状的第2电极为源电极和漏电极的另一方,所述环状的导电
    性引导部件包围所述环状的第2电极的外周;
    第6工序,在由所述环状的第2电极包围的区域以覆盖所述第1电极
    的方式涂敷有机半导体层的材料,形成外周由所述环状的第2电极规定的
    有机半导体层;以及
    第7工序,在由所述环状的导电性引导部件包围的区域以覆盖所述有
    机半导体层的方式涂敷预定的材料,形成外周由所述环状的导电性引导部
    件规定的对所述有机半导体层进行?;さ谋;つ?。
    16.根据权利要求15所述的有机半导体装置的制造方法,
    包括第8工序,在所述?;つど闲纬刹慵渚的?。
    17.根据权利要求15或16所述的有机半导体装置的制造方法,
    在所述第2工序中,在所述基板上形成所述第1电极用的引出布线,
    在所述第3工序中,在所述栅绝缘膜上形成连接所述第1电极与所述
    引出布线的接触孔。
    18.根据权利要求15~17中的任一项所述的有机半导体装置的制造方
    法,
    在所述第6工序中,通过喷墨方法涂敷所述有机半导体层的材料。
    19.根据权利要求15~18中的任一项所述的有机半导体装置的制造方
    法,
    在所述第7工序中,通过喷墨方法涂敷所述?;つさ乃鲈ざǖ牟牧?。
    20.一种有机半导体阵列装置,
    包括作为权利要求1所述的有机半导体装置的第1有机半导体装置、
    和第2有机半导体装置,
    所述第2有机半导体装置具备:
    第2栅电极,其形成在所述基板上;
    第2栅绝缘膜,其形成在所述第2栅电极上;
    第3电极,其为在所述第2栅绝缘膜上形成的第2源电极和第2漏电
    极的任一方;
    环状的第4电极,其为在所述第2栅绝缘膜上所述第2源电极和所述
    第2漏电极的另一方的电极、并形成为包围所述第3电极;
    第2有机半导体层,其涂敷于所述第2栅绝缘膜上的、由所述环状的
    第4电极包围的区域以使其覆盖所述第3电极,并由所述环状的第4电极
    规定其外周;
    环状的第2导电性引导部件,其形成于所述第2栅绝缘膜上、所述环
    状的第4电极的外侧;以及
    对所述第2有机半导体层进行?;さ牡??;つ?,其涂敷于由所述环
    状的第2导电性引导部件包围的区域以使其覆盖所述第2有机半导体层,
    并由所述环状的第2导电性引导部件规定其外周,
    对所述第2有机半导体装置的所述环状的第2导电性引导部件,施加
    与施加于所述第1有机半导体装置的所述环状的导电性引导部件的电压相
    同电位的电压。

    关 键 词:
    有机半导体 装置 及其 制造 方法
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