• 人民日报为人民,70年办报不容易,办报人付出了心血和汗水,记录了中国的发展过程,祝愿办得越来越好! 2019-07-20
  • 最美逆行!高速隧道突发火灾  交警三次逆行穿火线撤离400多名群众 2019-07-17
  • 《陕西省县域经济社会发展监测考评办法》解读 2019-07-17
  • 一切都是老板炒工人的鱿鱼 2019-07-14
  • 赏花不用跑远 宗角禄康开得正艳 2019-07-14
  • 车俊会见毛里求斯代总统 2019-07-14
  • 除了杨崇勇,“2亿元贪官俱乐部”至少还有这些人 2019-07-09
  • [民生热线]咸安西大街烤鸭店每天油烟扰民 区政府:已责令整改 2019-07-09
  • 海淀:得天独厚的自然条件 2019-07-09
  • 进京通行证限次数!70.9万辆本地化使用外埠号牌车或将受影响 2019-07-06
  • 6月14日凤凰直通车:茅台再开市场化招聘大门,32个部门要285人葡萄 种植 2019-07-05
  • 东京湾产业转型启示录 2019-07-05
  • 中国三星获第十二届人民企业社会责任奖年度扶贫奖 2019-06-30
  • 一个语文基础都没有的人就喜欢指手画脚, 2019-06-30
  • 匹夫有责之一百一十二—道义大义的博客—强国博客—人民网 2019-06-25
    • / 50
    • 下载费用:20 金币  

    广西11选5杀号公式: 带有沟槽氧化物纳米管超级结的器件结构及制备方法.pdf

    摘要
    申请专利号:

    广西11选5大小走势图 www.fnjpv.tw CN201110054042.X

    申请日:

    2011.02.28

    公开号:

    CN102194880B

    公开日:

    2015.01.14

    当前法律状态:

    有效性:

    法律详情: 授权|||实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20110228|||公开
    IPC分类号: H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336; H01L29/739; H01L21/331 主分类号: H01L29/78
    申请人: 万国半导体股份有限公司
    发明人: 哈姆扎·依玛兹; 马督儿·博德; 李亦衡; 管灵鹏; 王晓彬; 陈军; 安荷·叭剌
    地址: 美国加利福尼亚州桑尼维尔奥克米德公园道475号
    优先权: 2010.03.05 US 12/661,004
    专利代理机构: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 张静洁
    PDF完整版下载: PDF下载
    法律状态
    申请(专利)号:

    CN201110054042.X

    授权公告号:

    102194880B||||||

    法律状态公告日:

    2015.01.14|||2011.11.23|||2011.09.21

    法律状态类型:

    授权|||实质审查的生效|||公开

    摘要

    本发明带有沟槽-氧化物-纳米管超级结的器件结构及制备方法提出了一种沉积在第一导电类型的半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体衬底承载着一个第二导电类型的外延层,其中半导体功率器件就位于超级结结构上。该超级结结构包含从外延层中的顶面上打开的多个沟槽;其中每个沟槽的沟槽侧壁都用第一导电类型的第一外延层覆盖,以便中和第二导电类型的外延层的电荷。第二外延层可以生长在第一外延层上方。每个沟槽都在一个剩余的沟槽缝隙空间内,用非掺杂的电介质材料填充。每个沟槽侧壁都带有一个倾斜角,以构成会聚的U-型沟槽。

    权利要求书

    1.一种带有沟槽-氧化物-纳米管超级结的器件结构,其特征在于,包含:一个第一导电类型的第一半导体层以及一个第二导电类型的第二半导体层,所述的第二半导体层沉积在第一半导体层上方;在所述的第二半导体层中打开的沟槽,垂直延伸到所述的第一半导体层;一个形成在所述的沟槽的侧壁上的第一导电类型的第一外延层;以及一个形成在所述的第一外延层上的第二外延层;其中所述的第一外延层与相邻的半导体区域之间达到充分的电荷平衡。2.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,在至少某些沟槽中,所述第二外延层充分填充了未被第一外延层占据的缝隙的底部。3.如权利要求2所述的器件结构,其特征在于,所述第二外延层的侧壁朝着沟槽的底部合并在一起。4.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述沟槽的侧壁具有一定的角度,以形成锥形沟槽,并朝着沟槽的底面会聚。5.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述第二外延层为第一导电类型。6.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述第二外延层为第二导电类型或本征半导体材料。7.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,还包含:在中心缝隙中的第一电介质填充物,所述中心缝隙在沟槽的中心,未被所述第二外延层占据。8.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,还包含:一个栅极电极,其沉积在至少某些沟槽顶部中。9.如权利要求8所述的器件结构,其特征在于,还包含:一个位于栅极电极下方很深的介质层。10.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,还包含:形成在相邻沟槽之间的肖特基二极管和PN结二极管。11.如权利要求10所述的器件结构,其特征在于,所述PN结二极管是一种电荷注入可控二极管,其与一个电荷注入可控电阻器串联,并与肖特基二极管并联。12.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述的第二半导体层在两个相邻沟槽之间的宽度,远大于所述的第一外延层的宽度。13.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述的第二半导体层在两个相邻沟槽之间的宽度,至少是所述的第一外延层宽度的三倍。14.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述器件结构还包含一个金属氧化物半导体场效应管MOSFET。15.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述器件结构还包含一个绝缘栅双极晶体管IGBT。16.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述器件结构还包含一个与二极管集成的绝缘栅双极晶体管IGBT。17.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述的第二半导体层具有分级的掺杂结构,其掺杂浓度从上到下逐渐降低。18.如权利要求7所述的器件结构,其特征在于,还包含:一个具有介质沟槽的终止结构,它包含一个由所述的第一介质填充物和第二介质填充物形成的介质立柱的网络,所述的第一介质填充物和第二介质填充物形成在网络内所述的介质立柱之间。19.如权利要求7所述的器件结构,其特征在于,至少一个第二器件沉积在半导体衬底上,其中沉积在相邻器件之间的沟槽具有较大的沟槽宽度。20.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述器件结构还包含具有条纹结构的晶体管单元。21.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,所述器件结构还包含具有封闭式单元布局的晶体管单元。22.如权利要求1所述的器件结构,其特征在于,还包含:一个由终止单元阵列构成的终止区,在有源单元的界面处带有一个第一终止单元,其中每个终止单元还包含:一个第二半导体层的台面结构,并且第一外延层形成在它的侧壁上,第二外延层形成在第一外延层上,所述台面结构靠近带有介质填充物的沟槽;一个第一导电类型的第一区域,形成在所述台面结构的顶面中;以及一个第二导电类型的第二区域,形成在所述台面结构的顶面中,与所述台面结构中的第一区域分开,其中大多数终止单元的第一区域都电连接到相邻终止单元的第二区域上。23.一种带有沟槽-氧化物-纳米管超级结的器件结构的制备方法,其特征在于,包含:在第二导电类型的第二半导体层中刻蚀沟槽;在所述的沟槽中,生长一个第一导电类型的第一外延层以及在所述的第一外延层上方,生长一个第二外延层;其中第一导电类型的第一半导体层位于所述的第二半导体层下方,并且其中所述的第一外延层触及第一半导体层。24.如权利要求23所述的制备方法,其特征在于,所述第一外延层与周围的半导体区域达到电荷平衡。25.如权利要求23所述的制备方法,其特征在于,生长第二外延层,使所述第二外延层充分填充沟槽的底部。26.如权利要求23所述的制备方法,其特征在于,还包含:生长所述第二外延层后,用电介质填充沟槽中剩余的缝隙。27.如权利要求26所述的制备方法,其特征在于,还包含:用电介质填充沟槽中剩余的缝隙后,背部刻蚀电介质,并在至少某些沟槽的顶部中形成一个沟槽栅极电极。28.如权利要求26所述的制备方法,其特征在于,还包含:在刻蚀所述的沟槽时,同时刻蚀终止区中的沟槽,以便用留在介质填充沟槽之间的半导体台面结构,在终止区中形成介质填充沟槽的网络;并且刻蚀掉终止区中的半导体台面结构,并用第二介质填充物填充空间,以便在终止区中形成一个又宽又深的电介质沟槽。29.一种制备电介质沟槽的方法,其特征在于,包含:在一个半导体层中制备一个沟槽的网络,并用第一电介质填充沟槽,以便形成一个含有半导体台面结构的电介质立柱的网络;刻蚀掉电介质立柱的网络内的半导体台面结构,并用第二电介质填充缝隙,从而构成一个又宽又深的电介质沟槽。

    关 键 词:
    带有 沟槽 氧化物 纳米 超级 器件 结构 制备 方法
      专利查询网所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    0条评论

    还可以输入200字符

    暂无评论,赶快抢占沙发吧。

    关于本文
    本文标题:带有沟槽氧化物纳米管超级结的器件结构及制备方法.pdf
    链接地址://www.fnjpv.tw/p-6420158.html
    关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服客服 - 联系我们

    [email protected] 2017-2018 www.fnjpv.tw网站版权所有
    经营许可证编号:粤ICP备17046363号-1 
     


    收起
    展开
  • 人民日报为人民,70年办报不容易,办报人付出了心血和汗水,记录了中国的发展过程,祝愿办得越来越好! 2019-07-20
  • 最美逆行!高速隧道突发火灾  交警三次逆行穿火线撤离400多名群众 2019-07-17
  • 《陕西省县域经济社会发展监测考评办法》解读 2019-07-17
  • 一切都是老板炒工人的鱿鱼 2019-07-14
  • 赏花不用跑远 宗角禄康开得正艳 2019-07-14
  • 车俊会见毛里求斯代总统 2019-07-14
  • 除了杨崇勇,“2亿元贪官俱乐部”至少还有这些人 2019-07-09
  • [民生热线]咸安西大街烤鸭店每天油烟扰民 区政府:已责令整改 2019-07-09
  • 海淀:得天独厚的自然条件 2019-07-09
  • 进京通行证限次数!70.9万辆本地化使用外埠号牌车或将受影响 2019-07-06
  • 6月14日凤凰直通车:茅台再开市场化招聘大门,32个部门要285人葡萄 种植 2019-07-05
  • 东京湾产业转型启示录 2019-07-05
  • 中国三星获第十二届人民企业社会责任奖年度扶贫奖 2019-06-30
  • 一个语文基础都没有的人就喜欢指手画脚, 2019-06-30
  • 匹夫有责之一百一十二—道义大义的博客—强国博客—人民网 2019-06-25
  • 热血传奇手游 福彩22选5 四川麻将之血战到底 西班牙人比赛 幸运农场走势图爱彩乐 传统注册 网球四大满贯 vr赛车开奖结果 精品雁翎锁子甲 国际米兰14赛季战术关注